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熱式氣體質(zhì)量流量計恒(héng)功率法原理講解(jiě)

作者: 国产麻豆免费在线儀表 編輯: 国产麻豆免费在线(tiān)小編(biān) 來源: 熱式氣(qì)體質量流(liú)量計廠家 發布日期: 2020.03.19
信(xìn)息摘要:
氣體質量流量計可以對(duì)氣體的質量流量進行精密測(cè)量和控製。它在(zài)多個(gè)領域的科研和生產中有(yǒu)著重要而廣泛的運用本次要介紹一種熱(rè)式(shì)質量流量計,它具有精度…

氣體質量流量計可以對氣體的質量流(liú)量進行精密測量和控製。它在(zài)多個(gè)領域的科研和生(shēng)產(chǎn)中(zhōng)有著(zhe)重要而廣泛的運用;本次要介紹一(yī)種熱式(shì)質量流量計,它具(jù)有精度高,重複性好,響(xiǎng)應速度快,軟啟動,穩定可靠,工作壓力範圍寬等特點。操作使用起來方便,可以任意位置安裝,配合流量(liàng)顯示儀或其他流量控製顯示儀使用,相對(duì)其他流(liú)量計來說,熱式質量流量計能勝任大流量和高溫介質的測量(liàng)工作要求。

一、恒功率法

恒功率法(溫度測量法(fǎ))是以(yǐ)恒定功(gōng)率為鉑熱電阻提供熱量,使(shǐ)其加熱到高於氣體的溫度,流體(tǐ)流動(dòng)帶走(zǒu)鉑熱電阻(zǔ)表麵一部分熱(rè)量,流量越大,溫度(dù)降(jiàng)越大,測(cè)量隨流(liú)體流量変化的溫度,可以反(fǎn)映氣體流量。有以下兩種實現方法:

(1)隻對一隻鉑電阻(zǔ)加熱,由熱擴散(sàn)原理測量溫差

原理:與恒溫差式流(liú)量計的結構類似,在測量管路中同樣加入兩個金屬(shǔ)鉑電阻,一個為(wéi)用於測量被測(cè)流體溫度的測溫電阻,另一個為用於測量被測流體速度的測速電阻。在加熱器(qì)上加上一個恒定的功率對測速鉑電阻(zǔ)加熱,流體在靜止時測速鉑電阻(zǔ)和測(cè)溫鉑電阻表麵溫(wēn)度差△T21=Ts2-Ts1 ZUI大,隨著介質的流動,兩個鉑電阻表麵溫度差減小。流體的流量越大,兩隻鉑(bó)電阻的溫差越小。鉑電阻連接(jiē)在惠斯通電橋中,鉑電阻的溫度不(bú)同使鉑電阻的電阻呈現不同(tóng)阻值,從而使電橋不平衡,通過檢測電橋的電壓差來反應流體流量(liàng)。

熱式(shì)氣體質量流量計

該恒功率式質量流量計存在的問(wèn)題:若流體的密度為p,流速為μ,加熱鉑電阻被流體帶走的熱量(liàng)為Q,測溫鉑電阻和測速鉑(bó)電阻的溫度差為△T21,則有關係式:Q/△T21=k1+k2(p・u)k3式中對於組分一定的(de)流體,k1、k2、k3為常數在橫截(jié)當(dāng)S的管路中,質量流量qm=p・u・S。測(cè)量(liàng)過程中,測速鉑電阻被電流加熱,在熱平(píng)衡狀態下,電流的加熱(rè)功率與測速鉑電阻被帶走的熱量(liàng)處於平衡狀態(tài),即Q=I²·Rs2。因此質量流量qm與Q/△T21成一一對應的關(guān)係,可表示為:qm=f[I²·R32/△T21]當加熱電流(liú)不(bú)變,通過測出流體的溫差△T21計算流體的質(zhì)量流量時,忽(hū)略了測速鉑(bó)電阻Rs2隨溫度的變化,會造成誤差。

2)對兩隻對(duì)稱的鉑(bó)電阻進行(háng)加熱,由熱平衡原理計算溫度(dù)差。

傳感(gǎn)器的結構是把(bǎ)兩個全相同的鉑(bó)電阻對稱的固定在熱源的兩側,放置在流體中。采用(yòng)一個恒流源(恒壓源)對熱(rè)源加熱,流體流(liú)動(dòng)使(shǐ)兩個鉑電阻的溫度不同。鉑電阻(zǔ)連接在惠斯通電橋(qiáo)中,鉑電阻(zǔ)的溫度不同使鉑(bó)電阻的電阻呈現不同(tóng)阻值,從而使電橋不平衡,通過檢測電橋的電壓來反應流體流量。

現從傳(chuán)熱學角度對該傳感(gǎn)器原(yuán)理(lǐ)作進一步的分析。假定流體為均勻分布的牛頓型流體,以一維測量為例:如圖1所示,熱源R置於傳感器基片的中心,在其兩邊(biān)對稱地放置兩個完全相同的溫度檢測芯片(薄膜式鉑電阻)S1和S2傳感器與流體之間的熱交換主要通過對流進行,熱源與溫度檢測芯(xīn)片之間的(de)熱交(jiāo)換可(kě)通過傳導和對流進行。

當流體流速為(wéi)零,即當流體處於靜止狀態時,表麵附近的流(liú)線場及主要由此產生的溫度場相對於熱源(yuán)呈對稱分布。由於結構上(shàng)的對稱性,通過基片熱傳(chuán)導進行的熱交換相對於熱(rè)源(yuán)始終是對稱的。此時感溫芯片(piàn)的鉑電阻溫度滿足Ts1=Ts2,即溫差:△T21=Ts2-Ts1=0。當流體流動時,流體和鉑電阻之間主要為對流換熱,由於局部對流換熱係數的不同,基片表麵附近的(de)流線場及相應(yīng)的溫(wēn)度場相對於中心熱源的分布發生變化,導致傾向性的不對稱分布。根據熱邊界層理論,可知(zhī),此時上遊溫度(dù)檢測芯片表麵冷卻速率(lǜ)高於下遊芯片表麵,即鉑電阻S1的換熱係數大於S2是換(huàn)熱係數,所以Ts2Ts,溫差溫度差:△T21=Ts2-Ts1>0。且△T2的值隨流體(tǐ)流速的増大而增(zēng)大。如果改變流體流向,△T21亦相應改變符號利用熱平(píng)衡方程可以計算出因對流引起的芯片表麵的溫度(dù)再分布,獲得(dé)溫度差與流速的關係式。

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